10.3969/j.issn.1007-0478.2004.03.005
电刺激小脑顶核对大鼠脑缺血/再灌注后氧化性DNA损伤的保护作用
目的预电刺激小脑顶核对大鼠脑缺血/再灌注后DNA氧化性损伤的保护作用, 以了解电刺激小脑顶核对实验性脑缺血及再灌注后神经保护的分子机制.方法健康雄性Wistar大鼠106只, 体重(250±30)g, 随机分为4组: (1) 单纯造模组; (2) 预刺激组; (3) 毁损小脑顶核组; (4) 假手术组.毁损小脑顶核组大鼠用鹅膏氨酸毁损两侧小脑顶核, 预刺激组、毁损小脑顶核组大鼠均以电刺激器刺激左侧小脑顶核, 前3组大鼠用线栓法成功制作可复流的MCAO模型2 h后再灌注.在再灌注后6、24、48 h将大鼠断头取脑, 取第3片提取DNA或RNA.DNA样品经酶解后上高效液相-电化学检测器检测8-ohdG.RNA样品通过RT-PCR的方法探测rOOG1 mRNA的表达.结果 (1) 大鼠脑缺血/再灌注后缺血区8-ohdG堆积.预刺激组再灌注各时点的8-ohdG含量均较单纯造模组及毁损小脑顶核组减少(P<0.01); (2) 单纯造模组及毁损小脑顶核组脑缺血/再灌注后rOGG1的转录水平相似, 再灌注后6 h其rOGG1 mRNA几乎检测不到, 随时间的延长其转录水平有所增加, 但仍较假手术组及预刺激组低(P<0.01).预刺激组再灌注后6 h其rOGG1 mRNA的表达量与假手术组无显著性差异, 但再灌注后24及48 h其rOGG1 mRNA的表达量均较假手术组增加(P<0.01).结论 (1) 大鼠脑缺血/再灌注后脑缺血区存在DNA氧化性损伤; (2) 预电刺激小脑顶核减少缺血区神经元凋亡可能与DNA修复酶活性上调有关.
电刺激、小脑顶核、脑缺血/再灌注、DNA、氧化性损伤、修复
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R743.3(神经病学与精神病学)
国家自然科学基金39376261
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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