可控硅关断参数分析及新型可控硅的应用

摘要：

对可控硅误触发行为及关断过程的分析表明,du/dt参数固定的条件下,di/dt的临界值越高,电路的可靠性越高.di/dt临界值大大提高的逻辑可控硅、无缓冲器可控硅等新型可控硅不但能提高电路的可靠性,还可以降低成本.

关键词：可控硅、误导通、关断过程、门极关断电流下降率、门极关断电压变化率

所属期刊栏目：19

分类号：TP211(自动化技术及设备)

在线出版日期：2004-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：44-45