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10.3969/j.issn.1004-1478.2004.01.013

可控硅关断参数分析及新型可控硅的应用

引用
对可控硅误触发行为及关断过程的分析表明,du/dt参数固定的条件下,di/dt的临界值越高,电路的可靠性越高.di/dt临界值大大提高的逻辑可控硅、无缓冲器可控硅等新型可控硅不但能提高电路的可靠性,还可以降低成本.

可控硅、误导通、关断过程、门极关断电流下降率、门极关断电压变化率

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TP211(自动化技术及设备)

2004-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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郑州轻工业学院学报(自然科学版)

1004-1478

41-1172/TS

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2004,19(1)

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