光电化学机械抛光装置设计

摘要：

针对第三代半导体材料氮化镓(GaN)光电化学机械抛光的加工需求,研制了具有紫外光照射、电压加载和机械抛光功能的光电化学机械抛光(PECMP)装置.设计了紫外光可直接照射到GaN晶片表面的抛光盘单元,加工区稳定加载电压且与装置绝缘的电气回路,抛光盘和工件盘能够独立回转的驱动机构,并且抛光盘可以往复移动、抛光压力可以可调加载.建立了PECMP装置的整机三维模型,通过静力学分析和模态分析,优化了抛光盘和龙门等关键部件结构.搭建了 PECMP抛光装置,并进行了性能测试,实现了可施加的光照强度0～200 mW·cm-2,电压大小0～10±0.1 V,绝缘电阻150 MΩ,抛光盘转速10～100 r/min,工件转速10～200 r/min,抛光盘往复移动速度1～100 mm/s,压力加载范围0～200 N,满足2英寸GaN晶片的PECMP加工需求.

关键词：光电化学机械抛光、抛光装置、GaN

分类号：TH122

在线出版日期：2023-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：40-45