10.19287/j.cnki.1005-2402.2019.11.027
次级线圈绕线锥度对LVDT静态特性的影响
三段式差动变压器式位移传感器(LVDT)由于结构特性,两次级线圈近端和远端的磁场分布不均,导致LVDT静态特性较差.针对上述弊端提出一种改善线性度和灵敏度的新绕线方法,即改变骨架锥度来改变次级线圈绕线锥度,在ANSYS Maxwell中建立LVDT有限元模型,在Maxwell Circuit Editor中设计外部激励电路,进行瞬态磁场的耦合仿真.结果 表明,保持其他因素不变,只改变骨架锥度调节次级线圈绕线锥度的方法能够有效改善LVDT的静态特性,新型LVDT的线性度是传统的2.4倍.
LVDT、静态特性、线性度、绕线锥度、Maxwell
TP212.9(自动化技术及设备)
广西自然科学基金重点项目2017JJD150010
2019-12-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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