In2O3/TiO2室温氢气传感器及其优异的氢敏性能

摘要：

为改善纳米TiO2传感器在室温下对H2虽有快速响应但恢复过慢的问题,引入商业纳米In2 O3对其进行改性.分别采用压片法和阳极氧化-沉积法制备了In2 O3/TiO2纳米复合压片薄膜和In2 O3/TiO2纳米管阵列,并将其应用于氢气传感器,研究了其室温氢敏性能.采用扫描电镜、X射线衍射、比表面积测试等方法对样品进行了表征,并研究了不同电极(Ag、Pt、Pd)、不同热处理温度及不同质量分数的In2 O3对复合传感器室温氢敏性能的影响.结果表明,与纯TiO2传感器相比,复合传感器扩大了氢气的检测范围,室温下可检测到体积分数1×10-6～1×10-3的氢气,且恢复时间大大缩短.其中,以Pt为电极,经600℃退火的质量分数为20％的In2 O3/TiO2复合传感器表现出最优的氢敏性能,在室温下对体积分数1×10-6H2的响应时间为7 s,恢复时间为32 s.

关键词：In2O3/TiO2、复合氢气传感器、室温、恢复性能

所属期刊栏目：43

分类号：O649.4(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金51402263

在线出版日期：2022-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：104-110