沉积条件对CVD-SiC涂层组织形貌和抗氧化性能的影响

摘要：

采用化学气相沉积法在高纯石墨基体表面制备了碳化硅(SiC)涂层,研究了基体位置和沉积压力对涂层组织形貌和抗氧化性能的影响.结果表明:随着基体与布气盘的距离增大,晶粒<111>生长方向的择优性先增强后减弱,其晶粒的砂砾状生长特征也呈现先增强后减弱的变化规律;当基体与布气盘的距离较小时涂层易出现气孔,随着距离增大,气孔逐渐消失,涂层抗氧化性能升高,而随着距离的进一步增大,开始出现分界现象,造成涂层抗氧化性能下降.随着沉积压力增大,晶粒<111>生长方向的择优性被弱化,晶粒的砂砾状特征也随之减弱;当沉积压力为2 kP a时,涂层无明显缺陷,其抗氧化性能较好;而当沉积压力增大到5 kP a和20 kP a时,涂层分别出现了分界和分层缺陷,导致其抗氧化性能下降.基体位置为450 m m、沉积压力为2 kP a时能够制备出组织致密、与基体结合较好、抗氧化性能较优的Si C涂层.

关键词：化学气相沉积;SiC涂层;基体位置;沉积压力;组织形貌;抗氧化性

所属期刊栏目：42

分类号：TQ127.1

资助基金：河南省国防科技工业关键核心"卡脖子"问题攻关项目

在线出版日期：2021-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：74-79