10.13705/j.issn.1671-6833.2018.02.011
退火温度对Nb掺杂TiO2薄膜结构与性能的影响
采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Nb掺杂TiO2透明导电薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光谱(UV-Vis)及双电测四探针仪对薄膜的结构和性能进行了表征.结果表明:退火温度250℃以上时,得到锐钛矿相Nb掺杂TiO2薄膜,且薄膜结构和光电性能随温度升高而改善;300℃时薄膜可见光透过率最高可达80%,电阻率降至2.5×10-3 Ω·cm;当温度升至350℃时,薄膜晶体开始出现金红石相,光电性能也随之下降.另外,Nb掺杂有利于降低TiO2薄膜晶体的晶相转变温度;掺杂后TiO2薄膜的吸收限发生蓝移现象,并且随着退火温度改变,薄膜吸收限产生蓝移的程度有所不同.
温度、Nb掺杂、TiO2薄膜、结构、光电性能
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TN304.055(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目11674290;河南省科技厅科技攻关资助项目142102210068
2018-06-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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