掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究

摘要：

采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了不同掺氯流量比下沉积薄膜的Fower-Nord-heim曲线.研究结果表明,氯氟化非晶碳膜是良好的冷阴极发射材料.射频功率的提升,有利于薄膜质量和性能改善;硅陈列沉积FN-DLC膜场测试的场发射电流的重复性能较直接沉积的更加稳定优良;F-N曲线基本为直线,掺氮氟化非晶碳膜的场发射为冷阴极发射,逸出功随着含氮量的升高而增大.

关键词：掺氮氟化非晶碳膜、表面结构、F-N曲线、重复性

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2011-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：52-55