10.3969/j.issn.1671-6833.2008.04.003
CuLaO2薄膜的制备和光电性能研究
采用传统的固相烧结法制备出纯相CuLaO2粉末,以此为靶材,首次采用射频磁控溅射法制备CuLaO2 薄膜并进行退火研究,得到了具有少量杂相的CuLaO2薄膜.其透过率在红外光区较高,近70%,可见光范Itt相时较低.CuLaO2 薄膜的电导率约6.7×10-4S/cm.对比分析了CuLaO2粉末及薄膜室温光致发光性能.测试结果表明,粉末和薄膜在450 am-650 am范围都有明显的发光带,而薄膜有少量的杂峰,杂峰是由于La203、Cu的氧化物及石英衬底的影响.
CuLaO2、磁控溅射、光致发光
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TN304(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目60576012;北京市优秀人才D类资助项目20061D501500199
2011-08-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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