一种新的高电子迁移率晶体管Ⅰ-Ⅴ解析模型

摘要：

随着通信技术的发展,HEMT器件的栅长变得越来越短,而早期的速度-场经验公式随着栅长的不断减小已不能精确地描述这种变化.通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式.在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)Ⅰ-Ⅴ模型.仿真结果表明,该模型具有较高的精度.

关键词：高电子迁移率晶体管、模型、二维电子气、速度-场

所属期刊栏目：29

分类号：TN386.3(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34