单层及少层二硫化钼薄膜的制备及其气敏性能研究

摘要：

通过化学气相沉积法,以MoO3和S粉为反应物制备大面积的二硫化钼(MoS2)薄膜,通过拉曼光谱、原子力显微镜、透射电子显微镜对产物的层数和结构进行表征,结果证明通过该方法制备的MoS2薄膜具有单层及少层结构.气敏测试结果表明该超薄MoS2薄膜在室温下对NO具有良好的灵敏度和选择性,对体积浓度为10、50(×10-6)的NO气体的灵敏度为9.3%和19.3%,响应时间(恢复时间)快,分别为281 s(298 s)和120 s(190 s),其优异的气敏性能与超薄MoS2薄膜的高比表面积息息相关.

关键词：化学气相沉积法、MoS2薄膜、少层结构、气敏性能

所属期刊栏目：49

分类号：TB321;O484.4(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金项目 11504331

在线出版日期：2017-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：66-70