甚高频对微晶硅薄膜微观结构的影响

摘要：

系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响,并优化了沉积参数.在相同的沉积条件下,甚高频沉积速度明显大于射频沉积速度,并且制备出的太阳能电池效率同样高于射频沉积.一般情况下,当沉积速率提高时,沉积薄膜中存在大量悬挂键和Si-2H键等缺陷,会大大降低材料的光电性能,同样也会降低太阳能电池的效率.在保证材料的光电性能的前提下提高沉积速度,沉积参数需要优化.在系列优化沉积参数后,微晶硅沉积速率达到0.75 nm/s,在该沉积速率下,制备出的单结n-i-p结构的太阳能电池效率达到5.41%.

关键词：甚高频化学汽相沉积、高速生长、微晶硅薄膜、太阳能电池

所属期刊栏目：40

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究计划973资助项目,编号2006CB202601;河南省教育厅自然科学基金资助项目,编号072300410080

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：78-82