ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

摘要：

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响.当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时,会导致金属In,InO,SnO和Sn3O4等物质以及晶体缺陷的生成,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率,甚至同时降低其光电性能.实验结果表明,当Ar流量为40.2cm3*min-1、温度为360℃和旋转溅射时间为90 min等参数保持不变时, ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为0.42cm3·min-1,溅射气压为0.5 Pa, 溅射电流0.3 A(溅射电压约为245 V),所得薄膜的方块电阻为5.7Ω、波长为550 nm的绿光透过率达到88.6%(洁净玻璃基底的绿光透光率为91.6%).

关键词：ITO薄膜、直流磁控反应溅射法、光电特性、透过率

所属期刊栏目：35

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-40