10.3969/j.issn.1671-6841.2003.02.009
机械刻槽埋栅硅太阳电池化学镀工艺的改进
采用辅助超声方法较好地解决了埋栅硅太阳电池化学镀铜经常发生槽内空洞和镀不满的现象,使电池串联电阻由0.5 Ω降为0.1 Ω.在化学镀银过程中,采用聚四氟乙烯材料作容器,避免了银沉积容器内壁.镀液中加入络合剂-氨水,可较好地控制反应,使镀银效果大大提高.
化学镀、机械刻槽、埋栅硅太阳电池
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TM914.4
河南省自然科学基金004040200
2003-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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