硅集成磁光非互易光学器件技术

摘要：

基于磁光非互易移相原理,采用硅基异质沉积磁性氧化物薄膜的技术路线,在绝缘体上硅(SOI)晶圆上,制备了基于马赫-曾德尔干涉仪(MZI)结构的宽带磁光隔离器和微环结构的窄带磁光隔离器件.两个器件在1550 nm波长下的隔离度分别达到了30 dB和40 dB,插损分别为5 dB和3 dB,性能接近分立器件水平.这些工作为硅基单片集成非互易材料和器件提供了可行的技术途径.

关键词：硅基光电子、磁光、非互易、光隔离器

所属期刊栏目：26

资助基金：国家重点基础研究专项基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2021-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：57-63