10.3969/j.issn.0253-9608.2003.04.003
稀土锰氧化物低场磁电阻效应
@@ 掺杂稀土锰氧化物是典型磁性半导体钙钛矿氧化物,其庞磁电阻(CMR)效应代表了过去10年凝聚态物理探索的电子强关联主要体系之一,同时在自旋电子学中有着潜在的应用前景.要实现自旋电子学应用,必须大幅度提高稀土锰氧化物低场磁电阻效应(LFMR)并深刻理解与此相关的物理问题.本文将阐述LFMR产生的基本原理和研究现状,讨论低场磁电阻效应的理论模型和增强低场磁电阻效应的方法.
锰氧化物、自旋无序、铁磁性、低场磁电阻
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Q7(分子生物学)
国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划973计划
2005-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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196-201