10.3969/j.issn.1674-5825.2023.04.003
高压烧结TaC陶瓷的致密化机理研究
针对过渡金属碳化物陶瓷难以烧结致密化的问题,选取TaC陶瓷为对象,对比研究了不同烧结条件下晶界、缺陷等微观结构的形成特点以及动力学差异,探讨了高压烧结过程的特殊传质机理.研究表明,低温/高压的烧结条件有利于获得致密、细晶的结构;随着压力的增加,在烧结初期,致密化机制从晶格扩散/晶界滑移逐渐转变为晶界扩散/晶界滑移;在烧结末期,致密化的控制机制从晶格扩散逐渐转变为晶界扩散.
高压烧结、高熔点陶瓷、致密化机理、细晶陶瓷
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TB321(工程材料学)
中央高校基本科研业务费专项2020IVA096
2023-08-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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