电子轰击型离子源中抑制H3+的几点思考
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

电子轰击型离子源中抑制H3+的几点思考

引用
分析了在电子轰击型(EI)离子源中,磁场、进样量、阴极电流和阴极电压等4种主要仪器设备条件对产生H3+的影响,在实验中得到较好的验证,并得到H3+在4种条件下的基本影响趋势.本研究对使用低分辨率质谱计分析天然氢同位索时,EI离子源参数的调节和进样量的选取具有指导意义.

低分辨率质谱计、电子轰击型离子源、H3+、氢同位素

32

O657.63(分析化学)

2011-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

100-103

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

质谱学报

1004-2997

11-2979/TH

32

2011,32(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn