辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素

摘要：

采用辉光放电质谱法(GDMS)对高纯半导体材料锑中的Mg、Si、S、Mn等14种痕量杂质元素进行测量.对仪器工作参数进行了优化选择,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨.实验表明:样品经足够长时间的溅射,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据.辉光放电质谱法是检定高纯半导体材料的理想工具.

关键词：质谱学、痕量杂质测定、辉光放电质谱法(GDMS)、高纯锑

所属期刊栏目：25

分类号：O657.63;O612.5(分析化学)

在线出版日期：2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：96-99