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10.3969/j.issn.1672-4321.2014.01.014

掺钛氧化锌半导体薄膜制备及其光学性质的研究

引用
以二氧化钛( TiO2)掺杂的氧化锌( ZTO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积了ZTO半导体薄膜,利用可见-紫外光分光光度计、四探针仪测试以及多种光学表征方法,研究了陶瓷靶中TiO2含量对ZTO薄膜光学性质和光电综合性能的影响.实验结果表明:ZTO薄膜的折射率表现为正常的色散特性,其色散行为遵循有效单振子模型.TiO2含量对ZTO薄膜的电阻率、透过率、折射率、消光系数和光学带隙等具有不同程度的影响,当TiO2的质量分数为3%时,ZTO薄膜的电阻率最低、可见光平均透过率最高、光电综合性能最好.

氧化锌薄膜、掺杂、光学性质

TM914

湖北省自然科学基金资助项目2011CDB418;中南民族大学学术团队基金资助项目XTZ09003

2014-04-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

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