对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究

摘要：

在对4H-SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H-SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果.利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了4H-SiC肖特基势垒二极管.实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测器件反向耐压值已达到1800V.

关键词：肖特基势垒二极管、结终端技术、模拟、反向耐压、工艺

所属期刊栏目：30

分类号：TN311(半导体技术)

资助基金：湖南省高等学校科学研究项目;湖南省科技厅科技项目

在线出版日期：2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：179-183