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微量Ga对高压阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响

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采用金相显微镜和扫描电镜观察腐蚀形貌,结合动电位极化曲线测试点蚀电位,研究微量Ga对高压阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响.结果表明,含Ga铝箔经退火后,点蚀电位约为-0.85V,比退火态不含Ga铝箔的点蚀电位负移约80 mV;退火后Ga在铝箔表面发生富集,增强了铝箔在含氯离子溶液中的点蚀倾向.当Ga含量20×10-6时,铝箔腐蚀区面积比约98%,腐蚀区内蚀坑数量众多、分布均匀,扩面效果显著;Ga含量达到80×10-6时,虽然腐蚀区面积比高,但腐蚀区内局部区域形成粗大蚀坑,腐蚀均匀性有所降低.因此,添加适量Ga可显著改善铝箔在HCl-H2SO4溶液中的腐蚀发孔性能.

高压阳极铝箔、Ga、表面处理、点蚀电位、腐蚀发孔性能

43

TG146.2;TG113.2(金属学与热处理)

国家重点基础研究发展计划(973计划)2005CB623706

2013-03-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共9页

4211-4219

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中南大学学报(自然科学版)

1672-7207

43-1426/N

43

2012,43(11)

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