n型多孔硅的制备及其光致发光性能

摘要：

采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅(n-PS);在室温下,采用500～ 700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜(SEM)测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌和光致发光性能(PL)的影响.研究结果表明,通过光照,能获得具有均匀孔分布和良好发光特性的n-PS,在约600 nm处产生较强荧光峰;随腐蚀时间、HF含量和电流密度增加,PL峰位先发生蓝移,而后又出现红移;PL发光性能呈先增强后减弱变化趋势,分别在腐蚀时间为20 min、HF含量为6%和电流密度为60 mA/cm2时峰强出现极大值;而提高掺杂含量,PL性能降低.

关键词：n型多孔硅、双槽电化学腐蚀法、光照条件、光致发光性能

所属期刊栏目：41

分类号：TN304.1(半导体技术)

资助基金：科技部国际科技合作项目2005DFBA028;国家大学生创新性实验计划项目LA09062

在线出版日期：2010-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1229-1233