电极间距对防原子氧聚硅氧烷薄膜性能的影响

摘要：

与传统制备防护薄膜的方法相比,等离子体聚合法是一种更高效、干燥和简易的制备方法,可以在各种基底上制备数百纳米厚的致密薄膜涂层.采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法在大面积柔性聚酰亚胺Kapton基底上制备了聚硅氧烷防原子氧薄膜.用SEM、AFM、FTIR和XPS等表征分析了电极间距对聚硅氧烷薄膜性能的影响.结果表明,减小电极间距加速了单体的解离和碳基成分的氧化.随着电极距离的减小,薄膜的沉积速度增大,薄膜从有机无机聚硅氧烷薄膜(SiOxCyHz)向无机薄膜(SiO2)转化.薄膜中高解离能Si-O键的增多,降低了原子氧的侵蚀率.研究结果为用PECVD方法制备其他有机硅功能薄膜奠定了技术基础.

关键词：等离子增强化学气相沉积、六甲基二硅氧烷、电极间距、薄膜、原子氧

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分类号：TG174.444;V45(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重点研发计划;甘肃省自然科学基金;国防基础科研项目;五院共性工艺技术研究项目

在线出版日期：2024-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：71-77