1 MeV Xe离子辐照对4H-SiC肖特基二极管的性能影响研究

摘要：

离子辐照会影响半导体器件的性能,进而使得器件在空间辐射等特定环境条件下的工作寿命和可靠性退化.研究了经过1 MeV Xe离子辐照后4H-SiC SBD电学性能的变化及其原因.采用SRIM软件模拟了不同能量Xe离子辐照对4H-SiC SBD组成材料的影响,根据模拟结果选取了1 MeV的Xe离子对4H-SiC SBD进行辐照.实验结果表明,辐照后4H-SiC SBD由肖特基接触变成了欧姆接触,金属-半导体界面产生了大量空位缺陷,使得接触界面的势垒降低,隧穿电流增大,导致4H-SiC SBD的整流特性失效.

关键词：Xe离子;辐照;4H-SiC;肖特基二极管;XTEM;SRIM

所属期刊栏目：27

分类号：O536;TN386(等离子体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;甘肃省自然科学基金;兰州大学中央高校基本科研业务费专项资金

在线出版日期：2021-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：601-607