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10.3969/j.issn.1006-7086.2018.05.005

新型MEMS电容真空传感器的设计及其分析

引用
为了延伸MEMS电容式真空传感器测量范围、提高抗过载能力,设计了一种新型岛状结构下电极.利用有限元方法分析该结构与传统结构真空传感器的压力-挠度、压力-电容、压力-薄膜应力关系.研究发现,与传统结构相比,新型结构真空传感器的低压灵敏度更高、线性输出性能更好、抗过载能力更强,可为MEMS电容式真空传感器研制提供参考.

MEMS、电容真空传感器、有限元、接触模型

24

TB77(真空技术)

国家自然科学基金重大科研仪器研制项目61627805

2018-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

315-320

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真空与低温

1006-7086

62-1125/O4

24

2018,24(5)

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