CMOS APS光电器件单粒子效应脉冲激光模拟实验研究

摘要：

CMOS APS光电器件因低功耗、小体积的特点已成为遥感卫星成像的重要发展方向.随着半导体技术的不断进步,其单粒子效应已经成为一个影响可靠性的重要因素.针对CMOS APS光电器件,利用实验室脉冲激光模拟单粒子效应设备模拟了重离子在APS光电器件中引起的辐射损伤,分析了CMOS APS光电器件内部不同功能单元对单粒子效应的敏感性,获得了单粒子效应敏感参数.结果表明,CMOS APS光电器件在空间辐射环境中会诱发单粒子翻转和单粒子锁定.研究结果为进一步分析CMOS APS光电器件的抗辐射加固设计提供了理论支持.

关键词：CMOSAPS、单粒子效应、脉冲激光

所属期刊栏目：23

分类号：V416.5;TN248(基础理论及试验)

资助基金：国家自然科学基金项目11375078

在线出版日期：2017-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：223-225