Se离子束辅助沉积 CIS过程的数值分析

摘要：

通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术，在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程，建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上，以离子注入深度效应作为研究对象，从扩散均匀性角度进行模拟计算，并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析，计算出Se扩散均匀性为90％时，采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。

关键词：离子束辅助沉积、CIS、低温沉积、模拟

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：重点实验室基金项目9140 C540401110 C5401

在线出版日期：2014-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：150-153