GaN负电子亲和势光电阴极的激活改进研究

摘要：

采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5 μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0<X≤0.4),在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2<X<0.7.P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2～5 μm,并获得3×1019 cm-3的掺杂浓度.提出的GaN基光电阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释.

关键词：负电子亲和势、GaN光电阴极激活、紫外敏感材料、新能带结构模型

所属期刊栏目：16

分类号：TN23(光电子技术、激光技术)

资助基金：自主资助项目556000829

在线出版日期：2010-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：108-112