10.3969/j.issn.1006-7086.2010.01.001
SiC薄膜材料理论模拟研究的动态
SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料.综述了SiC材料的理论研究现状和发展趋势,并对研究方法和结果进行了简要的评述.
SiC材料、理论模拟、研究现状、发展趋势
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O484(固体物理学)
表面工程技术国家级重点实验室基金项目9140C540107090C54
2010-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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