改进型GaN材料的掺杂工艺研究

摘要：

采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0＜x≤0.4),在AlxGa1-x层中的Al浓度为0.2＜x＜0.7.优化了影响P型GaN性质的生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度;研究了退火温度对P型GaN空穴浓度和光致发光的影响,获得了最佳退火温度为680～750℃的范围.

关键词：GaN材料、掺杂浓度、光致发光、退火温度

所属期刊栏目：15

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：自主资助项目556000839

在线出版日期：2010-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：233-237