砷化镓衬底CVD金刚石薄膜辐射探测器的研究

摘要：

在砷化镓(GaAs)衬底上采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备了金刚石薄膜,并对制备的薄膜进行抛光、表面氧化、退火等处理以提高薄膜质量,再用磁控溅射法在薄膜表面沉积金(Au)铝(Al)电极,制备了简易的CVD金刚石薄膜辐射探测器.采用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)技术对制得的金刚石薄膜质量进行了分析研究.结果表明,薄膜为[100]晶面取向,表面平整,杂质含量低.采用5.9keV55FeX射线对所制备的探测器进行辐射实验,测出其光电流和暗电流特性,从而对辐射探测器性能进行了表征.

关键词：微波等离子体、化学气相沉积、辐射探测器

所属期刊栏目：15

分类号：O53(等离子体物理学)

在线出版日期：2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：103-107