真空气相沉积可控制备有机半导体单晶薄膜

摘要：

利用多温区温度可控的真空气相沉积设备,在热氧化硅片衬底上沉积了并五苯(PEN)与甲氧基寡聚苯乙烯撑(MOPV)2种有机半导体材料的薄膜.研究了不同的沉积条件下有机半导体材料在二氧化硅衬底上的成核和生长模式.MOPV的生长遵循Volmer-Weber模式.在理想的条件下分别得到了岛状与线状的单晶结构.偏振显微荧光研究证明单晶纳米线有显著的荧光各向异性.

关键词：真空沉积、有机半导体、薄膜、单晶、纳米线

所属期刊栏目：15

分类号：TN305.8(半导体技术)

资助基金：表面工程技术国家级重点实验室基金9140C5401030701

在线出版日期：2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：86-89