基片位置对微波等离子体合成金刚石的影响

摘要：

用自制的微波功率为5kW的微波等离子体(MPCVD)装置、用H2/CH4/H2O作为反应气体在较高的沉积气压(12.0 kPa)条件下,研究了基片放置在等离子体球边缘附近不同位置对CVD金刚石沉积和生长的影响.结果表明,CVD金刚石的形核和生长对环境的要求是不同的;在等离子体球边缘处不利于金刚石的形核,但有利于高质量金刚石的沉积.

关键词：化学气相沉积、金刚石、微波等离子体、生长

所属期刊栏目：14

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：湖北省教育厅创新团队项目2004

在线出版日期：2008-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：140-144