三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性

摘要：

采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线.利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征.结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴.结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件.初步测试表明,这种硒纳米线为P型半导体.

关键词：硒纳米线、光刻、场效应晶体管

所属期刊栏目：14

分类号：TN15;O711+.4(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学资金50703012;50433030

在线出版日期：2008-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：68-72