10.3969/j.issn.1006-7086.2008.02.002
三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性
采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线.利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征.结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴.结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件.初步测试表明,这种硒纳米线为P型半导体.
硒纳米线、光刻、场效应晶体管
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TN15;O711+.4(真空电子技术)
国家自然科学资金50703012;50433030
2008-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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