10.3969/j.issn.1006-7086.2007.04.001
碳纳米管薄膜的低温制备及其场发射性能的研究
利用电镀方法在覆盖有金属Ti的玻璃衬底上制备了Ni催化剂,采用微波等离子体化学气相沉积技术,以CH4和H2为反应气体,在450℃的低温下制备了CNTs薄膜.利用扫描电子显微镜和Raman光谱对其表面形貌和结构进行了分析,在真空度小于2×10-4 Pa的环境中测试了CNTs薄膜的场致电子发射特性,开启电场2.7 V/μm.研究表明:微波等离子体化学气相沉积技术低温制备CNTs薄膜是可行的,且该薄膜具有良好的场发射性能.
碳纳米管、MPCVD、低温、Ni催化剂、场发射
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TB43;TB383(工业通用技术与设备)
教育部科学技术研究项目205091
2008-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
187-190,244