射频与直流磁控溅射制备DLC薄膜的工艺研究及特性对比
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1006-7086.2007.03.004

射频与直流磁控溅射制备DLC薄膜的工艺研究及特性对比

引用
采用直流与射频磁控溅射技术,用高纯石墨在单晶硅(100)表面制备了类金刚石薄膜(DLC).采用拉曼光谱、扫描电镜分析了薄膜的结构、表面和截面形貌,以及与溅射工艺的关系,并且对溅射过程中粒子输运机理进行了解释.结果表明,2种溅射方法制备的薄膜均含有相当的sp3杂化碳原子.射频磁控溅射沉积的DLC薄膜所含sp3杂化碳原子的量要高于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜,且薄膜质量优于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜.

类金刚石薄膜、射频磁控溅射、直流磁控溅射、拉曼光谱、扫描电镜

13

TB43(工业通用技术与设备)

安徽省自然科学基金03044703;安徽省红外与低温等离子体重点实验室资助

2007-12-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

138-141

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

真空与低温

1006-7086

62-1125/O4

13

2007,13(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn