10.3969/j.issn.1006-7086.2007.03.004
射频与直流磁控溅射制备DLC薄膜的工艺研究及特性对比
采用直流与射频磁控溅射技术,用高纯石墨在单晶硅(100)表面制备了类金刚石薄膜(DLC).采用拉曼光谱、扫描电镜分析了薄膜的结构、表面和截面形貌,以及与溅射工艺的关系,并且对溅射过程中粒子输运机理进行了解释.结果表明,2种溅射方法制备的薄膜均含有相当的sp3杂化碳原子.射频磁控溅射沉积的DLC薄膜所含sp3杂化碳原子的量要高于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜,且薄膜质量优于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜.
类金刚石薄膜、射频磁控溅射、直流磁控溅射、拉曼光谱、扫描电镜
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TB43(工业通用技术与设备)
安徽省自然科学基金03044703;安徽省红外与低温等离子体重点实验室资助
2007-12-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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138-141