Fe-SiO2颗粒膜中的磁电阻效应和霍耳效应

摘要：

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属体积分数fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜.系统地研究了薄膜的微结构、磁性、隧道磁电阻效应(TMR)和巨霍耳效应(GHE).在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%,fv=0.52处饱和霍耳电阻率达最大值,为18.5μΩ·cm.在300℃以内的不同温度下将Feo0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,霍耳电阻率随温度的变化不大,即样品具有良好的热稳定性.这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在工作于300℃下的磁场传感器方面有很好的应用前景

关键词：颗粒膜、隧道磁电阻效应、巨霍耳效应

所属期刊栏目：13

分类号：O484.4+3(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50371034

在线出版日期：2007-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-24