10.3969/j.issn.1006-7086.2006.04.003
用AFM研究Cu在Si基上沉积成核的演化过程
室温下,利用磁控溅射在P型Si(100)衬底上沉积了Cu膜.利用原子力显微镜(AFM)对较短沉积时间内制备的样品形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时Cu在Si衬底上沉积成核的演化过程.随着沉积的进行,Si基表面的成核密度随着时间的增加而增大;核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜.在溅射到15 s时,发现奇异现象.
Cu、AFM、成核密度、过程
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O484.1(固体物理学)
国家自然科学基金10375028
2007-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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200-203