用AFM研究硅基上沉积铜膜生长过程

摘要：

室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜.用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式.Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长.溅射时,核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜.随着沉积的进行,Cu膜表面粗糙度由于晶粒凝聚和合并而增大.当形成连续致密的、具有一定晶向的Cu膜时,粗糙度反而减小.

关键词：薄膜、AFM、形貌、Volmer-Weber模式

所属期刊栏目：11

分类号：O484;O485(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10375028;甘肃省自然科学基金ZS-031-A25-032-C;江苏省中青年科技基金ZS-031-A25-032-C

在线出版日期：2005-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：159-161,186