10.3969/j.issn.1006-7086.2003.02.007
磁控溅射陶瓷靶制备氧化铟锡薄膜的XPS和AFM研究
研究了磁控溅射陶瓷靶制备的氧化铟锡薄膜的微观结构和光电性能;给出了它的XPS、AFM分光光度计测试结果.结果表明:氧化铟锡膜内部Sn以SnO2相存在,In以In2O3相存在,含量分别在5.8%和85.0%左右;薄膜表面十分致密,呈多晶球状微粒均匀分布,平均粒径为50 nm;可见波段光透过率全部超过80%,近红外反射率也较高,在2 500 nm处达到70%,电阻率为2.7×10-4Ω·cm,禁带宽度Eg≥3.35 eV.
磁控溅射、陶瓷靶、氧化铟锡、XPS、AFM
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TN305;TB43(半导体技术)
2004-09-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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