多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现

摘要：

介绍了以SiO2/Si3N4/SiO2为绝缘层的夹层结构Spindt阴极并探索了两种工艺实验方法.将干法和湿法腐蚀相结合实现了侧壁崎岖的绝缘层空腔.通过精确调节绝缘层干法刻蚀时间,结合N-甲基吡咯烷酮和等离子体去胶的工艺,解决了光刻胶变性难以去除的问题.在扫描电子显微镜下观察到顶层SiO2直径3.8μm、底层SiO2直径2μm、中间层Si3N4和自对准钼栅孔直径1.1 μm、尖锥高度1.1μm的冷阴极结构形貌.研究表明,这种崎岖的侧壁能够在测试时阻断沿路放电,在大电压下能够缓解电弧放电现象,降低冷阴极的损坏.

关键词：多绝缘层结构、Spindt阴极、变性光刻胶去除、微加工

分类号：TN103(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金61831001

在线出版日期：2022-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：60-66