S波段多注速调管高频散热结构设计
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2020.06.11

S波段多注速调管高频散热结构设计

引用
随着雷达技术的发展,速调管平均功率越来越高.在速调管工作过程中,将有一部分电子打在高频系统上产生热量.高频冷却系统的设计直接影响到速调管高平均功率的实现,本文对反转永磁聚焦系统的S波段多注速调管进行分析,研究了提高散热能力的途径及可采用的措施,对收集极磁屏的水冷结构进行了改进,对改进后结构进行了热分析和磁分析,证明了冷却方案的可行性.

高平均功率、同轴腔、周期反转永磁聚焦、热设计

TN122(真空电子技术)

2021-03-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

49-51,62

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

真空电子技术

1002-8935

11-2485/TN

2020,(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn