用于Ka波段输能窗的AlN窗片及封接技术研究

摘要：

本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×10-4,常温热导率为186 W/(m· K);同时研制出了热导率为192 W/(m· K)的氮化铝陶瓷.完成了AlN的陶瓷-金属封接工艺,封接件抗拉强度大于78 MPa,制备了AlN陶瓷输能窗,钎焊后的AlN陶瓷-金属封接件及输能窗检漏结果均气密,氦漏率小于1×10-11 Pa· m3/s.本文研制的AlN陶瓷及封接工艺不但满足输能窗用介质材料的性能要求,还可以应用于微波管收集极及夹持杆等方面.

关键词：AlN陶瓷、输能窗、介电性能、热导率

分类号：TN104.2(真空电子技术)

资助基金：装备预先研究资助项目31512010502-1

在线出版日期：2019-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：58-61