中频真空开关纵向磁场特性分析:实验仿真平台设计

摘要：

本文研究了400～800 Hz条件下纵磁真空灭弧室内的磁场特性.首先根据麦克斯韦方程组和磁场的合成矢量关系,分析了纵向磁场的变化滞后于电流和频率增加时涡流效应更明显的原因,然后利用ANSYS MAXWELL求解了三维瞬态纵向磁场分布.由计算结果可知:在电流变化的过程中,中心区域磁场的变化明显滞后于其他区域.电流峰值时在触头片开槽交错放置的位置有磁场峰值区域,电流过零时中心区域有明显剩磁.当频率增加时,涡流效应更明显,使纵向磁场的磁感应强度值减弱.对中心点,频率提高导致过零时剩磁增加,磁场滞后相位更明显,影响电弧扩散.增加触头片开槽数可以减弱涡流效应,而增加触头杯座槽旋转角,触头中间平面磁感应强度的最大值近似线性增加.并通过实验验证了磁场滞后对真空灭弧室的开断能力的影响.

关键词：纵向磁场、真空开关、中频、磁感应强度、涡流效应

分类号：TM561(电器)

资助基金：国家自然科学基金项目51677002;中国博士后科学基金项目2018M631307;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目FRF-TP-19-035A1

在线出版日期：2019-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：21-27,46