高导热氮化硅陶瓷的低成本制备和性能研究

摘要：

氮化硅陶瓷具有优异的力学性能和高的理论热导率,是大功率电力电子器件理想的散热基片材料.但是,高导热氮化硅陶瓷对原料要求高、且制备条件苛刻,因此制备成本很高.本研究提出了一种低成本的制备方案.以TiO2-MgO作为烧结助剂,以高纯硅粉作为起始原料,通过流延成型和硅粉氮化制备素坯,在1600～1750℃的温度范围内实现氮化硅陶瓷的无压烧结,研究了TiO2的添加量和烧结温度等条件对于氮化硅陶瓷的致密化、晶相、微结构、力学性能以及热导率的影响规律,最终制备的氮化硅陶瓷相对密度达到99％以上,室温热导率达到81 W/m·K.

关键词：氮化硅基片、流延成型、硅粉氮化、无压烧结

分类号：TQ174.75

资助基金：科技部重点研发计划2016YFB0700300

在线出版日期：2018-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-21,25