平面底栅型真空场发射三极管

摘要：

真空场发射三极管(VFET)是一种真空微电子器件,采用纳米缝隙真空沟道实现电子的传输,兼具真空管和半导体晶体管的优点.本文介绍了国内外VFET的研究进展,提出了一种平面底栅型VFET结构,对其电子发射特性和栅极调制特性进行研究.结果表明,三极管真空沟道中的电子发射为场致电子发射,栅极具有调制作用.所制备的VFET可在0.1 Pa条件下工作,如进一步减小真空沟道尺寸,有望实现大气环境下工作,展现出潜在的发展前景.

关键词：真空场发射三极管、平面底栅结构、电子发射特性、栅极调控机理

分类号：TN11;TN48(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金面上项目-纳米缝隙场发射真空晶体管结构与特性研究61771383

在线出版日期：2018-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：前插1,1-5