半导体器件用陶瓷基片材料发展现状

摘要：

陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料.随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求.本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景.阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望.

关键词：半导体、陶瓷绝缘基板、氮化硅陶瓷、热导率

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：北京市科技计划课题Z171100002017015

在线出版日期：2017-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23