高导热氮化硅陶瓷的低温烧结和性能研究

摘要：

以Si粉体作为起始原料,以ZrO2-Y2O3-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅尚瓷的低温烧结致密化和热导率的影响规律.实验发现,氧化锆的引入可以明显降低烧结温度,在1800℃实现氮化硅陶瓷的无压烧结,材料的密度可以达到99％以上,热导率达到72 W/m·K.

关键词：氮化硅基片、流延成型、硅粉氮化、无压烧结

分类号：TQ174.5

资助基金：国家自然科学基金项目51572277;科技部重点研发计划2016YFB0700305;上海市科学技术委员会17YF1428800、17ZR1434800;中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室的支持国家自然科学基金面上项目51572277,51302288

在线出版日期：2017-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-19,71