10.3969/j.issn.1002-8935.2016.05.008
BeO-SiC复合衰减材料的制备及其性能
以氧化铍、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,在1800~1900℃,氮气气氛下制备BeO-SiC复合材料.采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器,研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性能及导热性能.研究结果表明:采用热压烧结工艺可以在1800~1900℃制备组织致密均匀的BeO-SiC复合材料;采用SiC为原料的BeO-SiC复合材料具有适当的介电性能和良好的导热性能.
BeO-SiC复合材料、衰减性能、导热性能
TQ174.5
2016-11-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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